特許

J-GLOBAL ID：200903033768564419

半導体パッケージおよびその製造方法

発明者： 穂苅 澄夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194675
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007955
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体パッケージを超薄型化して積層マルチモジュール実装に適したものとすると共に、半導体パッケージの製造コストを低減させること。【解決手段】 半導体チップと、該半導体チップとワイヤーで導通した外部端子と、それらを保護封止したモールド部とからなり、前記外部端子のワイヤーが接続される部位は、ワイヤー径よりも大きい段差をもって形成した半導体パッケージ、並びに、プレート状キャリアに、外部端子となる段差部を有するリード部とモールド成型エリアとを備えたリードフレームをセットし、該リードフレームのモールド成型エリアに対して半導体チップの供給・仮固定と、半導体チップの電極と外部端子の段差部とのワイヤボンドによる接続と、モールド封止とを行う半導体パッケージの製造方法である。段差部をもった1枚の金属板で外部端子を形成したことにより、現行の加工技術の制約を受けることなく、積層実装が可能で更に超薄型に形成でき、コストの低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、該半導体チップとワイヤーで導通した外部端子と、それらを保護封止したモールド部とからなり、前記外部端子のワイヤーが接続される部位は、ワイヤー径よりも大きい段差をもって形成したことを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (6件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

H01L 23/50 R ,  H01L 21/56 H ,  H01L 23/28 A ,  H01L 25/14 Z

Fターム (17件)：

4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109FA01 ,  4M109FA04 ,  5F061AA01 ,  5F061BA02 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F067AA01 ,  5F067AA02 ,  5F067AB04 ,  5F067BA03 ,  5F067BB01 ,  5F067BE10 ,  5F067DE01