特許

J-GLOBAL ID：200903033770010013

半導体装置

発明者： 成田 薫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155273
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330521
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 静電保護回路の保護素子が複数のユニットで形成される場合、各々のユニットが均等に動作し易い構造をとることで、小型で静電保護耐量の高い保護回路を得ること。【構成】 Vcc端子はVcc配線1によって、Vss端子はGnd配線2によってそれぞれ内部回路に接続されている。Vcc配線1とGnd配線2との間に複数のユニット(ユニット1〜4)から形成される静電保護素子3をいれる場合、各々のユニットを配線5a,5bに接続し、配線5aを抵抗(R1)4aを介してVcc配線1に、配線5bを抵抗(R2)4bを介してGnd配線2に接続している構造からなる。

請求項（抜粋）：

外部端子と内部回路を保護するための保護素子とを有し、該保護素子が複数のユニットから成る半導体装置において、外部端子と内部回路を接続する第1の配線及び該第1の配線に接続された抵抗配線を有し、前記抵抗配線に接続された第2の配線を有し、この第2の配線に保護素子のユニットが接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/60 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 23/56 B ,  H01L 27/06 311 A