特許
J-GLOBAL ID：200903033772192194
超伝導放射線検出装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067386
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236823
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 超伝導放射線検出装置及びその製造方法に関し、エネルギー分解能の優れたTa超伝導放射線検出装置を再現性良く形成すると共に、製造工程を複雑化することなく位置分解能の優れたTa超伝導放射線検出装置を形成する。【構成】 単結晶シリコン基板1上にTaとNbのエネルギーギャップΔ<SB>Ta</SB>とΔ<SB></SB><SB>Nb</SB>との関係がΔ<SB>Ta</SB><Δ<SB>Nb</SB>となるNbベース層2、Taベース層3、及び、Al層4からなる下部電極を設け、AlO<SB>x </SB>バリア層5を介して、TaとNbのエネルギーギャップの関係がΔ<SB>Ta</SB>>Δ<SB>Nb</SB>となるNbカウンタ層6及びTaカウンタ層7からなる上部電極を設ける。
請求項（抜粋）：
基板上にNbベース層、Taベース層、及び、Al層からなる下部電極を設け、AlO<SB>x </SB>バリア層を介して、Nbカウンタ層及びTaカウンタ層からなる上部電極を設けると共に、前記下部電極におけるTaとNbのエネルギーギャップΔ<SB>Ta</SB>とΔ<SB>Nb</SB>との関係がΔ<SB>Ta</SB><Δ<SB>Nb</SB>であり、また、前記上部電極におけるTaとNbのエネルギーギャップの関係がΔ<SB>Ta</SB>>Δ<SB>Nb</SB>であることを特徴とする超伝導放射線検出装置。
IPC (3件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/22
, H01L 39/24 ZAA
H01L 39/22 ZAA A
, H01L 39/22 ZAA D
, H01L 39/24 ZAA J
