スプリットチャネル高電子移動度トランジスタデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 大塚就彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-517139
公開番号（公開出願番号）：特表2007-521651
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

トランジスタ構造体であって、ガリウムヒ素(GaAs)半導体基板と、インジウムアルミニウムガリウムヒ素(InAlGaAs)格子整合層と、格子整合層の上に配設されるインジウムアルミニウムヒ素(InAlAs)バリア層と、バリア層上に配設されるInyGa1-yAs下部チャネル層であって、yは下部チャネル層のIn含有量のモル分率である、InyGa1-yAs下部チャネル層と、下部チャネル層上に配設されるInxGa1-xAs上部チャネル層であって、xは上部チャネル層のIn含有量のモル分率であり、xはyと異なる、InxGa1-xAs上部チャネル層と、InxGa1-xAs上部チャネル層上のInAlAsショットキー層とを有するトランジスタ構造体。下部チャネル層は、上部チャネル層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、下部チャネル層は、上部チャネル層のバルク電子移動度より低いバルク電子移動度を有する。

請求項（抜粋）：

トランジスタ構造体であって、ガリウムヒ素(GaAs)半導体基板と、該基板上に配設されるインジウムアルミニウムヒ素(InAlGaAs)バリア層と、該バリア層上に配設されるInyGa1-yAs下部チャネル層であって、yは該下部チャネル層のIn含有量のモル分率である、InyGa1-yAs下部チャネル層と、前記下部チャネル層上に配設されるInxGa1-xAs上部チャネル層であって、xは該上部チャネル層のIn含有量のモル分率であり、xはyと異なる、InxGa1-xAs上部チャネル層と、前記InxGa1-xAs上部チャネル層上のInAlAsショットキー層と、を備えたトランジスタ構造体。

IPC (3件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (17件)：

5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL16 , 5F102GL17 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102HC01

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