特許
J-GLOBAL ID：200903033778996856
ショットキー接合型半導体光検出素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336947
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164918
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 量子効率の高いショットキー接合型半導体光検出素子を提供する。【解決手段】 n又はp型の半導体基板上に、半導体基板との界面でショットキーバリアを形成する金属シリサイド層を備え、その金属シリサイド層で発生した電荷のうちのホットキャリアを上記半導体基板を介して出力することにより光を検出するショットキー接合型半導体光検出素子において、その界面を、ホットキャリアの量を増大させるように、方位の異なる複数の面を有してなる凹凸面とした。
請求項（抜粋）：
n又はp型の導電性を有する半導体基板上に、入射光によって電荷を発生させかつ上記半導体基板との界面でショットキーバリアを形成する金属シリサイド層を備え、該金属シリサイド層で発生した電荷のうちの上記ショットキーバリアを越えるエネルギーを有するホットキャリアを上記半導体基板を介して出力することにより光を検出するショットキー接合型半導体光検出素子において、上記界面を、上記ショットキーバリアを越えるホットキャリアの量を増大させるように、方位の異なる複数の面を有してなる凹凸面としたことを特徴とするショットキー接合型半導体光検出素子。
Fターム (13件)：
5F049MA05
, 5F049MB02
, 5F049NA01
, 5F049NB05
, 5F049QA06
, 5F049QA07
, 5F049SE05
, 5F049SE11
, 5F049SE12
, 5F049SE20
, 5F049SS03
, 5F049SZ03
, 5F049WA01
