特許
J-GLOBAL ID：200903033780793512
半導体結晶積層体及びその形成方法並びに半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-195840
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050410
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 In等の表面偏析によるヘテロ界面のだれを無くし、電気的あるいは光学的特性に優れ、且つそれら諸特性の再現性が良くウエハ面内でのばらつきの小さい半導体結晶積層体及びその形成方法並びにそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 第1の混晶半導体からなる第1の半導体層と、第1の混晶半導体より禁制帯幅が大きく、格子定数が小さく、かつ第1の混晶半導体を構成する半導体のうちの格子定数の最も大きい半導体を含んでいない単元素半導体、化合物半導体および混晶半導体からなる群の中から選ばれた1種からなる第2の半導体層との間に、第1の混晶半導体より禁制帯幅の大きい第2の混晶半導体からなり、かつ第1の混晶半導体を構成する半導体のうちの格子定数の最も大きい半導体を含んでいる第3の半導体層をこれらの層に接して形成する。
請求項（抜粋）：
第1の混晶半導体からなる第1の半導体層と、該第1の混晶半導体より禁制帯幅が大きく、格子定数が小さく、かつ単元素半導体、化合物半導体および混晶半導体からなる群の中から選ばれた1種からなる第2の半導体層と、上記第1の混晶半導体より禁制帯幅の大きい第2の混晶半導体からなり、かつ上記第1の半導体層と上記第2の半導体層の間に接して形成された第3の半導体層を有し、上記第1の混晶半導体を構成する半導体のうちの格子定数の最も大きい半導体は上記第1、第2および第3の半導体層のうちの上記第1の半導体層および上記第3の半導体層にのみ含まれていることを特徴とする半導体結晶積層体。
IPC (5件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
, H01S 3/18
