特許
J-GLOBAL ID：200903033785938420
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053556
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256538
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入後の中温加熱を伴う処理工程で発生する、打ち込みイオンの異常拡散現象を抑制して浅い接合の拡散層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 MOSトランジスタ部1のゲート電極部2を形成し、LDD層30形成のためのイオン注入をしてイオン注入層16を形成した後、RTA法による短時間の高温熱処理をしてLDD層30を形成し、その後サイドウォール酸化膜17形成のための、中温加熱を伴う処理工程であるTEOS酸化膜堆積工程を行い、このTEOS酸化膜をエッチバックしてサイドウォール酸化膜17を形成する。【効果】 特性の良い、高集積化した半導体装置の作製が可能となる。
請求項（抜粋）：
イオン注入法により不純物拡散層を形成する半導体装置の製造方法において、前記イオン注入後の中温加熱を伴う処理工程以前に、高温加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/265 602 B
, H01L 29/78 301 L
