特許

J-GLOBAL ID：200903033790590059

炭素クラスター電導体膜およびその製造方法と、これを用いた超電導ジョセフソン素子およびその製造方法

発明者： 上羽 良信 ,  奥田 伸之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀井 弘勝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228903
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077548
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 空気中で安定な炭素クラスター電導体膜とその製造方法、ならびにこれを利用した、空気中で安定に作動できて実用性の高い超電導ジョセフソン素子とその製造方法を提供する。【構成】 炭素クラスター電導体膜は、アルカリ金属やアルカリ土類金属より安定な不純物をドープする。炭素クラスター電導体膜の製造方法は、真空中で炭素クラスターC60と上記不純物Snとをほぼ同時に蒸発させて、基板K上に堆積させる。超電導ジョセフソン素子は、上記不純物Snがドープされた一対の超電導体層S1、S2間に、炭素クラスターC60からなる絶縁層Iを介装した。超電導ジョセフソン素子の製造方法は、炭素クラスターC60と不純物Snとをほぼ同時に堆積させて第1の超電導体層S1を形成し、炭素クラスターC60のみを堆積させて絶縁層Iを形成した後、炭素クラスターC60と不純物Snとをほぼ同時に堆積させて第2の超電導体層S2を形成する。

請求項（抜粋）：

アルカリ金属およびアルカリ土類金属より安定な不純物がドープされた炭素クラスター電導体膜であって、π電子共役系を有する炭素クラスターと上記不純物とを真空中で交互または同時に蒸発させ、基板上に堆積させて形成したことを特徴とする炭素クラスター電導体膜。

IPC (6件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  H01B 1/04 ,  H01B 5/14 ,  H01L 39/22 ZAA