特許

J-GLOBAL ID：200903033797682820

半導体素子の製造方法

発明者： 平下 紀夫 ,  伊藤 眞宏 ,  沖原 将生
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073738
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275365
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子のコンタクトを形成する際に、高濃度拡散層の表面上の自然酸化膜等の形成を抑制し、コンタクト抵抗を低減する。【構成】 ソース/ドレイン領域15の表面の自然酸化膜をフッ酸で除去する。高真空中で熱処理を行い、ソース/ドレイン領域15中の不純物を該領域15の表面に偏析させる。その後、領域15上に、ポリSi17を堆積する。

請求項（抜粋）：

高濃度拡散層の表面に導電層を堆積してそれら両層間のコンタクトを形成するコンタクト形成方法を有する半導体素子の製造方法において、前記高濃度拡散層表面の自然酸化膜をフッ酸で除去するフッ酸処理工程と、前記高濃度拡散層に対して超高真空中で熱処理を行い、該高濃度拡散層中の不純物の表面偏析を行って表面偏析層を形成する表面偏析工程とを、順に施した後に前記表面偏析層表面に前記導電層を堆積することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/90