特許

J-GLOBAL ID：200903033810810042

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 吉田 正明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321467
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162279
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 高性能でしかも容易に製造できる半導体集積回路装置およびその製造技術を提供する。【解決手段】 直交している1層目の配線層9と2層目の配線層10および直交している3層目の配線層11と4層目の配線層12を有し、1層目の配線層9の配線ピッチと2層目の配線層10の配線ピッチとは等しく、3層目の配線層11の配線ピッチと4層目の配線層12の配線ピッチとは等しく、3層目の配線層11および4層目の配線層12の配線ピッチは、1層目の配線層9および2層目の配線層10の配線ピッチの21/2 倍であるものである。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置の配線層において、1層目の配線層と2層目の配線層とは直交しており、3層目の配線層と4層目の配線層とは直交しており、前記3層目の配線層は前記2層目の配線層に対し約45度の傾斜角度をもって配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。