特許
J-GLOBAL ID：200903033815308841
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138948
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335490
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 消費電力が多い半導体集積回路(LSI)において、集積できる最大限の機能を内蔵可能とする。【構成】 LSI20aに、各回路ブロック1に隣接して温度検出部2を設け、外部からの制御信号を検出モード切換信号入力端子5に入力すること、もしくは、LSIに内蔵された検出データ比較回路により、検出データを検出部切換回路3により切り換え検出データ出力端子4に出力するようにする。【効果】 LSIが実際使用されている状態での半導体基板温度を検出することが可能であり、それをもとに適応化を図り、最大限の機能をLSIに内蔵させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成された電子回路を備えた半導体集積回路において、前記半導体基板の一主面上に形成され、前記半導体基板の温度を検出するための温度検出部を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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