特許

J-GLOBAL ID：200903033816471320

ステンシルマスク、その製造方法、該ステンシルマスクを使用して製造される半導体デバイス、及びその製造方法

発明者： 植木 伸一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203534
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017398
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 従来のステンシルマスクを使用する配線パターン転写では、ステンシルマスクに歪みが生じやすい狭幅の遮蔽部が存在すると、この遮蔽部に歪みが生じて正確なパターン転写ができなかったため、狭幅の遮蔽部が生じないように配線パターンを形成していた。しかしこの手法では所望パターンが形成できないことが多く、自由に配線パターンを半導体デバイスに転写できる方法が望まれている。【解決手段】 ステンシルマスクパターンの隣接する開口部間の遮蔽部を歪対象遮蔽パターン3A1とそれ以外の非歪対象遮蔽パターンとに識別し、この歪対象遮蔽パターンに接する開口部の開口パターンデータを複数に分割し、分割された開口パターン2A1及び2A2を少なくとも2個の相補マスク5A及び5Bに振り分ける。

請求項（抜粋）：

開口部に対応する開口パターンデータ及び遮蔽部に対応する遮蔽パターンデータを含むステンシルマスクパターンの隣接する開口部間の遮蔽部を歪対象遮蔽パターンと非歪対象遮蔽パターンとに識別し、この歪対象遮蔽パターンに接する開口部の開口パターンデータを複数に分割し、分割された開口パターンを複数の別個の実マスク基板に振り分けて各実マスク基板に実開口部を形成した複数の相補マスクを作製することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521

FI (9件)：

G03F 1/16 A ,  G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 F ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (18件)：

2H095BA01 ,  2H095BA05 ,  2H095BA08 ,  2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H097AA03 ,  2H097AA20 ,  2H097CA15 ,  2H097CA16 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046AA25 ,  5F046GD01 ,  5F046GD02 ,  5F046GD05 ,  5F056AA06 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05