特許
J-GLOBAL ID:200903033817493409

Bi系酸化物超電導導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 雄一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-171354
公開番号(公開出願番号):特開平6-162843
出願日: 1993年07月12日
公開日(公表日): 1994年06月10日
要約:
【要約】【構成】 Bi系酸化物超電導体またはその前駆体粉末からなるグリーンシート2を銀シート上に配した後、酸素雰囲気中で室温から480°Cまで0. 1〜1°C毎分で昇温し、前記温度にて1〜8時間保持した後875〜885°Cまで昇温し、前記温度にて1. 5時間保持した後830°C未満まで200〜300°C毎時にて冷却し、しかる後に830°C未満の温度にて1〜8時間保持し、500°Cまで300°C毎分以上で急冷することを5回以上繰り返すこと特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。【効果】 Bi系酸化物超電導導体中に析出する異相の析出と超電導相中に取り込まれる酸素の量が抑制できる。特にBi:Sr:Ca:Cu=2:2:1:2であるBi系酸化物超電導体は、半溶融熱処理によって結晶組織を配向させることができる。従って、超電導性に優れたBi系酸化物超電導体を容易に作製することができる。
請求項(抜粋):
Bi系酸化物超電導体またはその前駆体粉末を用いてドクターブレード法によりグリーンシート(2)を作製し、前記グリーンシート(2)を銀シート上に配した後、酸素雰囲気中で室温から480まで0. 1〜1°C毎分で昇温し、前記温度にて1〜8時間保持した後875〜885°Cまで昇温し、前記温度にて1. 5時間保持した後830°C未満まで200〜300°C毎時にて冷却し、しかる後に前記830°C未満の温度にて1〜8時間保持し、300°C毎分以上で500°Cまで急冷することを5回以上繰り返すことを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
IPC (5件):
H01B 13/00 565 ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  C04B 35/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA

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