半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146597
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315706
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】作製が容易で、波長制御電流に対する波長変化のレスポンスの良い半導体レーザを得る。【構成】半導体基板1上に順次形成された活性層2,上クラッド層4,及びコンタクト層5を有し、上記活性層2のストライプ状の領域に電流を注入してレーザ動作を行なうものにおいて、上記上クラッド層4の上記ストライプ状活性領域2直上の部分に接する部分に層と平行方向にかつ上記ストライプ方向に対し垂直方向に電流を流す一対の電極8a,8bを備えた構成とした。【効果】構造が簡単になり製造を容易とでき、また抵抗膜から活性層への熱伝達が良好となり、制御電流に対する波長変化のレスポンスを向上できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順次形成された活性層,上クラッド層,及びコンタクト層を有し、上記活性層のストライプ状の領域に電流を注入してレーザ動作を行なう半導体レーザにおいて、上記上クラッド層の上記ストライプ状活性領域直上の部分に接する部分に層と平行方向にかつ上記ストライプ方向に対し垂直方向に電流を流す一対の電極を備えたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-201990
特開平2-156692
特開平4-032287

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