特許
J-GLOBAL ID：200903033822169806
流体制御弁、その制御磁路手段、その耐摩耗性手段およびその減衰手段
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028409
公開番号（公開出願番号）：特開平7-239050
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 電磁式の流体制御弁において、通電時間幅に対する噴射量特性の改善し、燃料の再噴射を防止する。【構成】 外側磁路体14の周壁には2本の縦溝15がその上部開口縁から底部向けて並列に形成され、この縦溝15間に残存された短冊状の制御磁路体16はその下端が外側磁路体14と連設され、この制御磁路体16には励磁コイル17が外側磁路体14に生じる磁束方向と直交する方向に巻き付けられ、この励磁コイル17は外側磁路体14の外側に導出された通電端子17aを有し、この通電端子17aから励磁コイル17に通電すると、励磁コイル17は制御磁路体16中に磁束Aの向きと正反対の向きの磁束Bを発生する。
請求項（抜粋）：
ソレノイドを内包する外側磁路体を備える固定磁路構成部に励起する電磁力で可動部材を吸引し、この電磁力の消滅に伴いばね部材の弾性で可動部材を離脱することによって、弁体と弁座との間の流路の開閉を行い、流体の供給と停止を行う流体制御弁において、上記外側磁路体に電磁路の磁束を打ち消す方向の磁束を発生する制御磁路手段を備えたことを特徴とする流体制御弁。
IPC (3件)：
F16K 31/06 305
, F02D 41/34
, F02M 51/06
