特許

J-GLOBAL ID：200903033825724576

半導体装置の評価方法、及びその評価装置

発明者： 上田 貴子
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189360
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のコンタクトホールやトレンチ形状等の抜きパターン底部の開口状態を確実かつ客観的に評価できるようにする。【解決手段】 コンタクトホール18が十分に開口して底部に導電膜20が露出している表面からの2次電子のエネルギーと、コンタクトホール18が十分に開口していない途中の絶縁膜19からの2次電子のエネルギーとでは、その大きさに差がある。そこで、このコンタクトホール18に対して電子線を走査し、これによって発生した2次電子をそのエネルギーの大小に応じて分光し、その分光結果に基づいて、コンタクトホール18底部の開口状態を評価するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体装置のコンタクトホールやトレンチ形状等の抜きパターン底部の開口状態を評価するための方法であって、前記半導体装置の抜きパターンに対して電子線を走査し、これによって半導体装置から発生した2次電子をそのエネルギーの大小に応じて分光し、その分光結果に基づいて、前記抜きパターン底部の開口状態を評価することを特徴とする半導体装置の評価方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01B 15/00 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/28

FI (5件)：

H01L 21/66 P ,  G01B 15/00 B ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/28 B

Fターム (33件)：

2F067AA51 ,  2F067BB04 ,  2F067CC15 ,  2F067CC17 ,  2F067EE04 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067QQ06 ,  2F067SS13 ,  2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001EA05 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB03 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ24 ,  5C033NN01 ,  5C033NP04 ,  5C033UU04 ,  5C033UU06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 荷電粒子ビームによる半導体ウエハー検査装置及び検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-161124   出願人：日本電気株式会社
• 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-133905   出願人：株式会社東芝