特許

J-GLOBAL ID：200903033831783010

半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ

発明者： 永井 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080222
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279649
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 高温による不純物の拡散を行なうことなく窓構造を形成することができる半導体レーザの製造方法、及び半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1上に、n型下クラッド層2,量子井戸構造活性層3,n型上クラッド層4,及びn型コンタクト層5を順次エピタキシャル成長させた後、上記コンタクト層上にレーザ共振器長方向となる方向に伸びる、レーザ共振器端面となる領域の近傍に達しない長さのストライプ状のSiN膜11を設け、さらに、このSiN膜11上,及び上記コンタクト層5上にIn膜12を形成した後、熱処理を行い、Inを下クラッド層2に達する深さまで拡散させ、該Inを拡散させた領域6内の上記量子井戸構造活性層3をディスオーダさせる。

請求項（抜粋）：

第1導電型GaAs基板の一主面上に、第1導電型Alx Ga1-x As(0<x<1)下クラッド層,複数のAlz Ga1-z As(0<z<x)バリア層と単数又は複数のAly Ga1-y As(0<y<z)ウエル層とからなる量子井戸構造活性層,第2導電型Alr Ga1-r As(z<r<1)上クラッド層,及び第2導電型GaAsコンタクト層を順次エピタキシャル成長させる工程と、上記量子井戸構造活性層のレーザ共振器端面となる領域の近傍に、Inを熱処理を用いて拡散させて、該領域の量子井戸構造活性層をディスオーダさせる工程と、上記基板の一主面と反対側の面上,及び上記コンタクト層上にそれぞれ第1,第2の電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。