特許

J-GLOBAL ID：200903033840705928

化合物薄膜の製造方法

発明者： 吉田 哲久 ,  根上 卓之 ,  和田 隆博 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336502
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166726
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 カルコパイライト薄膜の作製方法に関するもので、蒸着源からVI族元素を過剰に供給することなく、成分元素が化学量論比となる組成を有し、かつ基板-薄膜間の相互拡散が抑制された良質のカルコパイライト薄膜の作製法を提供する。【構成】 基板上6に真空蒸着法あるいはスパッタ蒸着法により、カルコパイライト薄膜を堆積する場合に、同時にイオン源4によって生成したVI族元素を含むイオンを照射してカルコパイライト薄膜を作製する。

請求項（抜粋）：

所定の温度に保たれた基板に、I族及びIII族の元素からなる中性粒子とともに、VI族元素を含むイオンを加速して照射することを特徴とする化合物薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 B ,  H01L 31/04 E