メモリ装置とその読出し方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068683
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】拡散ビット線及び拡散仮想グラウンド線へのワード線方向からの電流の流れ込みを防ぐとともに、消費電力を抑え、高速読出しを可能にする。【構成】メモリセル101を読み出す場合は拡散ビット線3が選択され、拡散仮想グラウンド線6,7がグラウンドレベルになり、他の拡散仮想グラウンド線5,8,9がVpcレベルとなる。センスアンプの反転レベルをVpc-Vthよりは低く、Vpc-VthとVpc/2のほぼ中間レベルより高くなるように設定しておくと、選択されたメモリセル101に隣接する102の状態にかかわらず、メモリセル101のオン,オフを読み出すことができる。

請求項（抜粋）：

PN接合により基板と分離された拡散配線が互いに平行に形成され、交互に拡散ビット線と拡散仮想グラウンド線となり、隣接する拡散ビット線と拡散仮想グラウンド線の間にメモリトランジスタが配置されているメモリセルアレイを拡散配線方向に複数のブロックに分割して1つのブロックのみを動作可能に選択するとともに、選択されたブロックでは1本の拡散ビット線を選択して読出し可能にし、その一方の側に隣接する一対の拡散仮想グラウンド線を選択してグラウンド電位に下げるメモリセル読出し方法。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-274093
特開平3-142877
特開平2-210869

全件表示

審査官引用 (3件)

特開平4-274093
特開平3-142877
特開平2-210869

前のページに戻る