窒化物系化合物半導体ウエハ、および窒化物系化合物半導体素子、ならびに窒化物系化合物半導体結晶の成長方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218468
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044126
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】再成長結晶の表面が平滑な窒化物系化合物半導体ウエハと、これに基づいた半導体素子、およびこれらを得るための窒化物系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】サファイア1の上にGaNの成長層2を成長させ、この成長層2の上にGaN等の窒化物系化合物半導体層を再成長させるに際して、成長層2上への原料ガスの送り込みを窒化物系化合物半導体層の再成長温度よりも低い温度から開始する。

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された窒化物系化合物半導体の成長層の上に窒化物系化合物半導体層を有機金属化学気相堆積法により再成長させた窒化物系化合物半導体ウエハにおいて、前記成長層と前記窒化物系化合物半導体層の間に、前記窒化物系化合物半導体層の成長温度より低温で成長させた第2の窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体ウエハ。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (24件)：

5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045BB07 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045EE18 , 5F045EK28

引用特許：

審査官引用 (8件)

単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-184740 出願人：ソニー株式会社
特開平4-297023
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-061015 出願人：富士通株式会社

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