膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、半導体チップの実装構造、半導体装置、発光装置、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119573
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318133
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】簡便な工程にて高精度の膜パターンを形成することが可能な膜パターンの形成方法および膜パターン形成装置、ならびに導電膜配線、半導体チップの実装構造、半導体装置、発光装置、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体を提供する。【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、液滴吐出法によって、膜形成成分を含有した液状物からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、互いに混ざり合わない複数の液滴を吐出することにより、隣り合う位置に複数の膜パターンを形成すること、を含む。

請求項（抜粋）：

液滴吐出法によって、膜形成成分を含有した液状物からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、互いに混ざり合わない複数の液滴を吐出することにより、隣り合う位置に複数の膜パターンを形成する、ことを含む、膜パターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 , H01L 21/31 , H01L 21/3205 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/288 Z , H01L 21/31 A , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 617 J , H01L 21/88 B , H01L 29/78 627 C , H01L 29/78 617 V

Fターム (92件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD20 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F033HH00 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH40 , 5F033JJ00 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033KK05 , 5F033KK08 , 5F033KK13 , 5F033MM05 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS30 , 5F033VV07 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX31 , 5F045AB32 , 5F045BB08 , 5F045EB19 , 5F045HA16 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD03 , 5F110EE02 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110FF27 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HM20 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ08

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