特許

J-GLOBAL ID：200903033859278770

半導体装置及びその製造方法

発明者： 米田 修二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179318
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007215
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 バイポーラトランジスタと多結晶シリコン抵抗素子とが共通の半導体基体上に混載されている場合において、多結晶シリコン抵抗素子が安定かつ高精度の抵抗値をもつ半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ダブルポリシリコン型バイポーラトランジスタと多結晶シリコン抵抗素子とが共通の半導体基体上に混載されている半導体装置において、フィールド酸化膜17上にCVD-SiO2 膜21、26を介して、NPNバイポーラトランジスタのエミッタ取り出し電極32aを形成する際に同時に堆積した多結晶シリコン膜からなるシート抵抗約2kΩ/□の高抵抗領域32b及びシート抵抗約400Ω/□の低抵抗領域32cがそれぞれ形成されている。そして、これらの高抵抗領域32b及び低抵抗領域32cの上面は、高抵抗領域32b及び低抵抗領域32cからの水素の吸収を抑制する水素吸収ストッパ膜としてのLP-Si3 N4 膜37によって被覆されている。

請求項（抜粋）：

バイポーラトランジスタと薄膜抵抗素子とが共通の半導体基板上に混載されている半導体装置であって、前記バイポーラトランジスタのエミッタ取り出し電極及び前記薄膜抵抗素子の抵抗層が、同一の工程において成膜された多結晶シリコン膜を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/04 P ,  H01L 29/72

Fターム (35件)：

5F003BA13 ,  5F003BA93 ,  5F003BA97 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BH06 ,  5F003BH08 ,  5F003BJ20 ,  5F003BN01 ,  5F003BP12 ,  5F003BP21 ,  5F003BP23 ,  5F003BP48 ,  5F003BS06 ,  5F003BS08 ,  5F003BS09 ,  5F038AR09 ,  5F038AR12 ,  5F038AR20 ,  5F038AR23 ,  5F038AV05 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA21 ,  5F082BA02 ,  5F082BA04 ,  5F082BA07 ,  5F082BA36 ,  5F082BC18 ,  5F082EA09 ,  5F082EA13 ,  5F082EA27 ,  5F082GA03