特許

J-GLOBAL ID：200903033861254438

不揮発性半導体記憶装置及びその使用方法

発明者： 和田 俊男 ,  安西 賢二 ,  岩佐 昇一 ,  佐藤 康夫 ,  江川 雄一
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080068
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267285
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 EPROMの記憶容量を増大させる。【構成】 0Vから1ms毎に10V、11V、12Vと階段状にレベルが変化する階段状電圧を可変電圧発生回路6で発生させ、この階段状電圧を、メモリセルアレイ1の選択されたワード線を通じて所定のメモリセルの制御ゲートに印加する。そして、所望レベルの電圧が印加されているタイミングに合わせて、パルス発生回路7から、選択されたビット線に8.5Vの電圧を0.8msの間だけ印加し、そのメモリセルの浮遊ゲートにホットエレクトロン注入を行ってそのメモリセルのしきい値を変化させる。このしきい値の変化状態を、階段状電圧の電圧レベルに応じて夫々“01”、“10”、“11”状態とし、メモリセルに書き込みを行っていない状態を“00”状態とする。これにより、1個のメモリセルに4値のデータを記憶させることができる。

請求項（抜粋）：

コントロールゲートとフローティングゲートの2重ゲート構造を有するメモリセルの前記フローティングゲートに電荷を注入することによってそのメモリセルのしきい値電圧を変化させ、このしきい値電圧の変化状態を情報の記憶に利用する不揮発性半導体記憶装置において、前記コントロールゲートに接続されたワード線と、前記メモリセルに形成されたドレインに接続されたビット線と、少なくとも3段階のレベルに変化する電圧を前記ワード線に印加する書き込み電圧発生回路と、前記ビット線に所定のタイミングでパルス状の電圧を印加する書き込みパルス発生回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 17/00 309 A ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-237692
  
• 特開昭62-006493
  
• 特開昭62-257699