特許
J-GLOBAL ID：200903033864755276
ガスセンサとその製造方法及びガス検出方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩入 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077263
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275201
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【構成】 パルス駆動形のガスセンサを、低濃度のHMDS雰囲気中で通電し、シリコーンをガスセンサの金属酸化物半導体内に付着させる処理を行う。シリコーン処理後のガスセンサを用いて、加熱パルス後の室温付近の特性から、1ppm以下の硫化水素やアンモニアを検出する。【効果】 硫化水素やアンモニア等の悪臭を高感度で検出でき、エタノール等の臭いに対する選択性を増す。
請求項（抜粋）：
ガス検出用の金属酸化物半導体とヒータとを備えて、該ヒータにより前記金属酸化物半導体を、周期的にかつパルス的に加熱して、該パルスとパルスとの間は、前記金属酸化物半導体を室温付近の温度に放置するようにしたガスセンサにおいて、前記金属酸化物半導体が、珪素化合物に暴露されて、珪素化合物を付着させたものとしたことを特徴とする、ガスセンサ。
Fターム (13件)：
2G046AA04
, 2G046AA10
, 2G046BA01
, 2G046BB02
, 2G046BE03
, 2G046DA05
, 2G046DB02
, 2G046DD03
, 2G046EA02
, 2G046EB01
, 2G046FA06
, 2G046FB02
, 2G046FE39
