半導体装置の電極構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321955
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160133
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【構成】 9はTiW-Auであり、これはAu13を析出させる際の電極となるものである。ボンディングパッド3上の表面保護膜5にはスルーホール7が形成されている。スルーホール7はタングステン17で埋め込まれている。タングステン17によって、TiW-Au9の形成面がほぼ平坦となっているので、TiW-Au9を欠落なく形成できる。【効果】 TiW-Au9を欠落なく形成しているので、Au13を析出させる際にAu13にボイドが発生するということがなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された素子と電気的に接続された下部電極と、前記素子および前記下部電極を覆うように形成され、前記下部電極に達する貫通孔を有する表面保護膜と、前記貫通孔内に形成され、前記下部電極と電気的に接続された中間電極と、前記中間電極上および前記表面保護膜上に形成されたメッキ用電極と、前記メッキ用電極上に形成された上部電極と、を備えた半導体装置の電極構造。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/288

FI (2件)：

H01L 21/92 F , H01L 21/92 C

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