特許
J-GLOBAL ID：200903033872002503
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058653
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267295
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】多層金属配線の層間絶縁膜の平坦化を可能にする。【構成】3個以上のスルーホールが垂直に積み重なった貫通スルーホール構造を含む多層配線を形成するに際し、貫通スルーホールの周囲にダミー配線6A〜6Dを配置する。
請求項（抜粋）：
3個以上のスルーホールが垂直に積み重ねられた貫通スルーホールを含む多層配線を有する半導体装置において、前記貫通スルーホールの周囲には層間絶縁膜を平坦化するためのダミー配線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 S
