特許
J-GLOBAL ID:200903033874143848
透明導電性薄膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-083967
公開番号(公開出願番号):特開2000-273618
出願日: 1999年03月26日
公開日(公表日): 2000年10月03日
要約:
【要約】【課題】液晶パネルの透明電極等として広く用いられている比抵抗の低い非晶質の透明導電性酸化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】フッ化インジウムおよび酸化インジウムを含有するターゲットとして用いて、スパッタリング法により、基板上に非晶質の透明導電性酸化物を形成する透明導電性薄膜の製造方法。
請求項(抜粋):
フッ化インジウムおよび酸化インジウムを含有するターゲットを用いて、スパッタリング法により、基板上に非晶質の透明導電性酸化物薄膜を形成する透明導電性薄膜の製造方法。
IPC (4件):
C23C 14/08
, C23C 14/34
, G09F 9/30 335
, C03C 17/245
FI (4件):
C23C 14/08 D
, C23C 14/34 A
, G09F 9/30 335
, C03C 17/245 A
Fターム (18件):
4G059AA11
, 4G059AC12
, 4G059EA03
, 4G059EA18
, 4G059EB04
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA45
, 4K029BB10
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 5C094AA21
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094EA05
, 5C094GB01
, 5C094JA01
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