特許
J-GLOBAL ID:200903033875350880

積層セラミックコンデンサの検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸岡 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-196533
公開番号(公開出願番号):特開平6-018462
出願日: 1992年06月30日
公開日(公表日): 1994年01月25日
要約:
【要約】【目的】 積層セラミックコンデンサの品質に影響を与えるデラミネーションや微細なクラックによる内部欠陥を非破壊検査するのに簡便で信頼性の高い検査方法の提供。【構成】 被検査積層セラミックコンデンサにバイアス電圧を印加して、等価直列抵抗対周波数特性曲線を求め、該コンデンサが機械的に共振する周波数およびこの周波数の高次の周波数で現れる特性曲線のピークにおいてその半値幅を求め、この値と上記被検査品と同じで内部欠陥のないコンデンサの対応する半値幅とを比較して内部欠陥を判定することを特徴とし、例えば小さなデラミネーションがある場合の図1の矢印のピークAの半値幅が438KHzであったのに対し、良品のそれが182KHzであるように、数値化して識別を容易にする。
請求項(抜粋):
積層セラミックコンデンサの圧電性材料による素体の内部に存在する欠陥を検査する方法において、(イ)検査対象となる上記コンデンサに交流バイアス電圧を印加してその周波数を変化させ、該コンデンサの等価直列抵抗を測定して得られる等価直列抵抗対周波数特性曲線を求め、(ロ)該コンデンサが圧電現象により機械的に共振する周波数およびこの周波数の整数倍である高次の周波数のいずれかで現れる該特性曲線のピークにおいて、ピーク強度の半分の値における周波数の幅でもって示される半値幅を求め、(ハ)この値を基準の積層セラミックコンデンサから得られた同様の半値幅と比較する過程を有する積層セラミックコンデンサの検査方法。

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