特許
J-GLOBAL ID：200903033882351174

架橋重合体およびこれを用いた電解質とその製造方法

発明者：
割石 幸司

割石 幸司 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186274
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017076
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：
【要約】【課題】イオン伝導性の高い架橋重合体、およびこれを用いた電解質を提供。【解決手段】分子中に、α, β- 不飽和スルホニル基、またはα, β- 不飽和ニトリル基、または、α, β- 不飽和カルボニル基から選ばれる置換基を少なくとも2個有する化合物と、分子中に少なくとも2個の求核性基を有する化合物とを反応させ架橋してなる重合体。
請求項（抜粋）：
分子中に、α,β-不飽和スルホニル基または、α,β-不飽和ニトリル基から選ばれる置換基のうち少なくとも2個を有する化合物を、分子中に少なくとも2個の求核性基を有する化合物と反応させ架橋してなることを特徴とする架橋重合体。
IPC (13件)：
C08G 85/00 ,  C08G 73/00 ,  C08G 75/04 ,  C08G 75/20 ,  C08L 79/00 ,  C08L 81/02 ,  C08L 81/06 ,  H01B 1/12 ,  H01G 9/025 ,  H01G 9/028 ,  H01M 6/18 ,  H01M 10/40 ,  C08L101/02
FI (13件)：
C08G 85/00 ,  C08G 73/00 ,  C08G 75/04 ,  C08G 75/20 ,  C08L 79/00 ,  C08L 81/02 ,  C08L 81/06 ,  H01B 1/12 Z ,  H01M 6/18 E ,  H01M 10/40 A ,  C08L101/02 ,  H01G 9/00 301 G ,  H01G 9/02 331 Z
Fターム (51件)：
4J002CH051 ,  4J002CM051 ,  4J002CN011 ,  4J002CN031 ,  4J002DD086 ,  4J002DE196 ,  4J002DG036 ,  4J002DH006 ,  4J002DK006 ,  4J002EM006 ,  4J002EN136 ,  4J002EU046 ,  4J002EV256 ,  4J002EV266 ,  4J002EY006 ,  4J002EZ006 ,  4J002FD096 ,  4J002GQ02 ,  4J002HA05 ,  4J030BA09 ,  4J030BA42 ,  4J030BA44 ,  4J030BA45 ,  4J030BB06 ,  4J030BB28 ,  4J030BC08 ,  4J030BD01 ,  4J030BE04 ,  4J030BG06 ,  4J031CD17 ,  4J031CD18 ,  4J031CD25 ,  4J043PA15 ,  4J043QC02 ,  4J043SA06 ,  4J043SB01 ,  4J043TA72 ,  4J043TB01 ,  4J043ZA41 ,  4J043ZB47 ,  5H024BB11 ,  5H024FF21 ,  5H024HH00 ,  5H029AJ01 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029CJ11 ,  5H029EJ12 ,  5H029HJ00
引用特許：
審査官引用 (3件)

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