特許

J-GLOBAL ID：200903033882730647

半導体装置とその製造方法

発明者： 山下 公彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094796
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267480
出願日： 1992年03月21日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 TEOSなどの有機オキシシランを主原料としてプラズマCVD法によりシリコン酸化膜を形成する際、シリコン酸化膜に取り込まれる炭素原子の量を少なくしてデバイス特性に悪影響を与えないようにする。【構成】 シリコン基板26を下部電極23上に配置し、ランプ22により加熱する。ガス供給口29を経て反応ガスを供給し、高周波電源28から両電極23,24間に高周波電圧を印加することにより、反応ガスが反応してシリコン基板26上にBPSG膜又はPSG膜が堆積する。プラズマCVDの条件として、CVD反応室21内の圧力を6.5Torr、基板温度を300〜450°C、高周波電源28の電力を100〜500W、TEOSを40°Cに保温し、ヘリウムガスで通気しながら酸素及びTMP、TMBとともに反応ガスとしてガス供給口29から反応室21へ供給しながらBPSG膜を堆積させる。O2流量/TEOS流量比は2.0以上とする。

請求項（抜粋）：

半導体装置のメタル配線の下に形成される層間絶縁膜として有機オキシシランを主成分としプラズマCVD法により堆積された炭素含有量の少ないシリコン酸化膜が用いられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-076919
  
• 特開昭61-234531
  
• 特開平4-023435