特許

J-GLOBAL ID：200903033887485225

近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置

発明者： 中塚 慎一 ,  松本 拓也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333820
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142775
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】物体に近接して配置することができ、かつ、量産性が高く応用装置の組立が容易な近接場光プローブ集積半導体レーザを提供すること。【解決手段】半導体基板の主面上に形成した互いに導電性の異なる半導体層よりなる1対の反射鏡と、同1対の反射鏡に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活性層とを少なくとも有する面発光半導体レーザを形成し、その上面の光出射位置に近接場光を発生するプローブを形成する。面発光レーザを形成する領域以外の該半導体基板の一部に主面からこれに対向する裏面に到達する孔を設け、上記半導体レーザの主面側への通電を該裏面に達する孔を経、かつ面発光レーザの上面に達しない高さに形成した電極を介して裏面側から行なう。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に形成した互いに導電性の異なる半導体層よりなる1対の反射鏡及び該1対の反射鏡に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活性層を少なくとも有する面発光半導体レーザと、該面発光半導体レーザの上面の光出射位置に形成された近接場光を発生するプローブとを備えており、該面発光半導体レーザを形成する領域以外の該半導体基板の一部に主面からこれに対向する裏面に到達する孔が設けられ、裏面側から該面発光半導体レーザの上面側の上記半導体層へ通電を行なうための電極が該孔を経て形成され、該電極は、該面発光半導体レーザの上面に達しない高さに配置されていることを特徴とする近接場光プローブ集積半導体レーザ。

IPC (6件)：

H01S 5/183 ,  G01N 13/10 ,  G01N 13/14 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/135 ,  G12B 21/06

FI (6件)：

H01S 5/183 ,  G01N 13/10 G ,  G01N 13/14 B ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/135 A ,  G12B 1/00 601 C

Fターム (30件)：

5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119CA06 ,  5D119EB02 ,  5D119FA05 ,  5D119FA16 ,  5D119JA34 ,  5D119MA06 ,  5D789AA11 ,  5D789AA22 ,  5D789AA38 ,  5D789BA01 ,  5D789CA06 ,  5D789CA21 ,  5D789CA22 ,  5D789CA23 ,  5D789EB02 ,  5D789FA05 ,  5D789FA16 ,  5D789JA34 ,  5D789MA06 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA21 ,  5F073DA27