特許
J-GLOBAL ID：200903033888616501
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050774
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321965
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 GaN系材料を用いた半導体レーザにおいて、低しきい値でのレーザ発振を可能にする。【解決手段】 活性層26にキャリアの量子閉じ込め構造を有する半導体レーザにおいて、量子閉じ込め構造は、In0.15Ga0.85Nを量子井戸層261に有し、In0.05Ga0.95Nを障壁層262に有する量子井戸構造であり、量子井戸層261の厚さを1nmと薄く設定し、量子閉じ込め構造中の励起子の結合エネルギーを、バルク中でのそれよりも十分大きくしてLOフォノンエネルギーに略一致させた。
請求項（抜粋）：
活性層の少なくとも一部にキャリアの量子閉じ込め構造を有する半導体発光素子において、前記量子閉じ込め構造中の励起子の結合エネルギー若しくは不純物の束縛エネルギーを、LOフォノンエネルギーの正の整数倍に概略一致させてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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