特許
J-GLOBAL ID：200903033889325802
バンプ電極の電解めっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181390
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029300
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】ウエハ内に作り込まれた集積回路装置にバンプ電極を電解めっきにより成長させる際、ウエハ面を覆うめっき電極膜をめっき用電源に接続するためそれにニードルを低い接続抵抗で確実に接触させて、バンプ電極の高さのウエハ面内のばらつきを減少させる。【構成】バンプ電極6を電解めっきする際にニードル33を接触させるめっき電極膜としての下地膜5aの例えば下側のアルミの配線膜3にあらかじめパターンニングして置き、ニードル33が接触する下地膜5aの部分を凸面13aと凹面13bを二次元配列した市松模様等の凹凸面13に形成し、ニードル33をめっきマスクM6のフォトレジストを破って凹凸面13に接触させたときその先端がフォトレジストを押し除けて凸面13aの角部に確実に接触するようにする。
請求項（抜粋）：
ウエハの中に作り込まれた集積回路装置とその配線膜を介して接続された金属の下地膜の要所上に各集積回路装置用のバンプ電極を電解めっきにより成長させる方法であって、ウエハの周縁部上の下地膜の少なくとも一部を細かな二次元繰り返しパターンの凹凸面に形成し、電解めっき時にこの凹凸面に金属ニードルを接触させてめっき用電源と接続して下地膜をめっき電極膜としてその要所上にバンプ電極を成長させるようにしたことを特徴とするバンプ電極の電解めっき方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
