特許
J-GLOBAL ID：200903033892232319
化合物半導体結晶層の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115168
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321032
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、IV族半導体基板上に化合物半導体結晶層を形成する化合物半導体結晶層の成長方法に関し、IV族半導体基板上に結晶性の点でも表面モホロジーの点でも優れた化合物半導体層を形成することができる化合物半導体結晶層の成長方法を提供する。【構成】第1の温度でIV族半導体基板の表面の酸化膜を除去し、第2の温度でIV族基板上に化合物半導体の低温成長膜を形成し、第3の温度において化合物半導体の第1の単結晶膜を、第4の温度において化合物半導体の第2の単結晶膜を、第5の温度において第3の化合物半導体の単結晶膜を成長し、化合物半導体成長途中または成長後に、加熱工程と冷却工程を有する熱処理サイクルを少なくとも1回繰り返す熱サイクルアニールを行う。
請求項（抜粋）：
IV族半導体基板上に化合物半導体の結晶層を形成する化合物半導体結晶層の成長方法において、第1の温度で前記IV族半導体基板の表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、前記第1の温度より低い第2の温度で、成長する前記化合物半導体の構成元素をそれぞれ含有する複数の原料ガスを導入しながら、前記IV族半導体基板上に前記化合物半導体の低温成長層を形成する低温成長層形成工程と、前記第2の温度より高く、前記第1の温度よりも低い第3の温度で、前記原料ガスを導入しながら、前記低温成長層上に前記化合物半導体の第1の単結晶層を成長する第1の単結晶層成長工程と、前記第3の温度より高く、前記第1の温度よりも低い第4の温度で、前記原料ガスを導入しながら、前記第1の単結晶層上に前記化合物半導体の第2の単結晶層を成長する第2の単結晶層成長工程と、前記第2の温度より高く、前記第4の温度よりも低い第5の温度で、前記原料ガスを導入しながら、前記第2の単結晶層上に前記化合物半導体の第3の単結晶層を成長する第3の単結晶層成長工程と、前記第4の温度より高い温度における加熱工程と、前記第2の温度より低い温度まで降温する冷却工程を有する熱処理サイクルを少なくとも1回繰り返す熱サイクルアニール工程とを有することを特徴とする化合物半導体結晶層の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/324
