特許

J-GLOBAL ID：200903033897197104

半導体集積回路装置

発明者： 菊池 秀徳 ,  馬場 匡史 ,  竹尾 公晴
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066647
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249979
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 高集積化及び高速化を図りつつ、比較的低くされた電源電圧に対応した出力レベルを形成することができる出力回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【構成】 比較的低くされた電源電圧と回路の接地電位との間に直列形態に接続されたNチャンネル型MOSFETを相補的にスイッチ制御して外部端子から出力信号を得るとともに、電源電圧側の出力MOSFETQ1のゲートに供給される駆動詩をCMOS回路で形成し、その動作電圧をブートストラップ回路を利用した昇圧とする。【効果】 Nチャンネル型MOSFETを用いて高集積化と高速化を図りつつ、電源電圧側の出力レベルを形成する出力MOSFETのゲート電圧を上記昇圧電圧に対応した高電圧とすることができるから、出力レベルを電源電圧に対応したレベルにすることができる。

請求項（抜粋）：

比較的低い電圧とされた電源電圧と回路の接地電位との間に直列形態に接続され、その接続点が外部端子に接続されてなるNチャンネル型MOSFETQ1とQ2からなる出力回路と、上記電源電圧側の出力MOSFETQ1のゲートに供給される駆動詩を形成するCMOS駆動回路と、ブートストラップ回路を利用してCMOS駆動回路の動作電圧を形成する昇圧回路とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H03K 19/0175 ,  G11C 11/409 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H03K 19/00 101 F ,  G11C 11/34 354 A ,  H01L 27/08 321 L