多値メモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037393
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】ディファレンシャル型センスアンプの個数を減らし、エンコーダ回路を省略した多値メモリを提供する。【構成】多値メモリセルアレイと、ビット線バアイス回路と、複数値の参照電位を発生させる参照電位発生回路と、センスアンプと、第1及び第2のフリップフロップ回路を含み、複数段からなる読み出し動作の初段においては参照電位発生回路に所定レベルの電位を出力させセンスアンプの出力データを第1のフリップフロップ回路に保持し、次段においては読み出し電位が初段の参照電位よりも低いときは当該参照電位のレベルを低下させ、読み出し電位が初段の参照電位よりも高いときは当該参照電位のレベルを上昇させ、センスアンプの出力データを第2のフリップフロップ回路に保持する読み出し制御回路とを具備する多値メモリ。

請求項（抜粋）：

コンダクタンスの違いにより4値以上のデータを記憶するメモリセルトランジスタを複数有する多値メモリセルアレイと、前記メモリセルトランジスタのコンダクタンスに応じて読み出し電位を発生させるバイアス回路と、複数値の参照電位を発生させる参照電位発生回路と、前記読み出し電位と前記参照電位とを比較し比較結果に応じたデータを出力するセンスアンプと、第1及び第2のフリップフロップ回路を含み、複数段からなる読み出し動作の初段においては前記参照電位発生回路に所定レベルの電位を出力させ前記センスアンプの出力データを前記第1のフリップフロップ回路に保持し、次段においては前記読み出し電位が初段の前記参照電位よりも低いときは当該参照電位のレベルを低下させ、前記読み出し電位が初段の前記参照電位よりも高いときは当該参照電位のレベルを上昇させ、前記センスアンプの出力データを前記第2のフリップフロップ回路に保持する読み出し制御回路とを具備することを特徴とする多値メモリ。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭55-077082
特開昭62-257699
特開昭62-054896

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