半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251756
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077062
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上に設けられる被加工膜及びバリアメタル層の研磨において、特に、バリアメタル層を効率よく研磨することができ、且つ十分に平坦化された精度の高い仕上げ面を得ることができる、半導体装置の製造において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する。【解決手段】銅膜、タンタル層及び/又は窒化タンタル層、並びに絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、銅膜の研磨速度(RCu)とタンタル層及び/又は窒化タンタル層の研磨速度(RTa)との比(RCu/RTa)が1/20以下であり、銅膜の研磨速度(RCu)と絶縁膜の研磨速度(RIn)との比(RCu/RIn)が5〜(1/5)である化学機械研磨用水系分散体を得る。RCu/RTaは1/30以下、特に1/40以下、更には1/50以下、RCu/RInは4〜(1/4)、特に3〜(1/3)、更には2〜(1/2)であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

銅膜、タンタル層及び/又は窒化タンタル層、並びに絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記タンタル層及び/又は窒化タンタル層の研磨速度(RTa)との比(RCu/RTa)が1/20以下であり、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記絶縁膜の研磨速度(RIn)との比(RCu/RIn)が5〜(1/5)であることを特徴とする半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。

IPC (7件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , C09K 13/00 , H01L 21/306

FI (7件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 R , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 C , C09K 3/14 550 Z , C09K 13/00 , H01L 21/306 M

Fターム (15件)：

3C058AA07 , 3C058BA02 , 3C058BA04 , 3C058CB01 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F043AA26 , 5F043BB30 , 5F043DD16 , 5F043DD30 , 5F043FF07 , 5F043GG02 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (6件)

研磨剤および研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055290 出願人：株式会社東芝
配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-193899 出願人：住友金属工業株式会社
金属膜用研磨剤および研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-103294 出願人：株式会社トクヤマ

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