多層配線およびその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152445
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の多層配線に関し,上層配線と下層配線との間に設けられたバリア層を構成する導電性物質と,層配線を構成するAlとの合金化反応を抑止して,上層配線と下層配線との接続部の信頼性を向上させる。【構成】アルミニウムまたはアルミニウム合金から成る下層配線11上に,Ta(タンタル)膜12,および高融点金属,高融点金属シリサイド,アルミニウム合金などの導電性物質13を連続して堆積する。表面に絶縁膜14を堆積し,この絶縁膜14にビアホール15を開口する。高融点金属,高融点金属シリサイド,アルミニウム合金などの導電性物質16,およびTa(タンタル)膜17を連続して堆積する。アルミニウムまたはアルミニウム合金を堆積して上層配線18を形成する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたはアルミニウム合金から成る下層配線および上層配線を,導電性物質から成るバリア層を間に挟んで,下層配線上の絶縁膜に形成されたビアホールを介して接続する多層配線であって,上層配線とバリア層との間,または上層配線とバリア層との間および下層配線とバリア層との間の双方に,Ta(タンタル)膜が設けられていることを特徴とする多層配線。

IPC (2件)：

H01L 21/90 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 S , H01L 21/88 N

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