特許
J-GLOBAL ID:200903033903850842
有害ガスの浄化方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-113838
公開番号(公開出願番号):特開平8-281063
出願日: 1995年04月14日
公開日(公表日): 1996年10月29日
要約:
【要約】【目的】 半導体製造工程などで使用され、排出されるガス中などに含まれる一酸化炭素または金属カルボニルを安全、かつ、効率よく除去する。【構成】 一酸化炭素および/または金属カルボニルを含有するガスを、酸化銅(II)および酸化マンガン(IV)を主成分とする金属酸化物にパラジウム塩を添着させた浄化剤と接触させる。
請求項(抜粋):
有害成分として一酸化炭素および/または金属カルボニルを含有するガスを、酸化銅(II)および酸化マンガン(IV)を主成分とする金属酸化物にパラジウム塩を添着せしめてなる浄化剤と接触させ、該ガスから有害成分を除去することを特徴とする有害ガスの浄化方法。
IPC (6件):
B01D 53/62
, B01D 53/34 ZAB
, B01D 53/46
, B01D 53/86 ZAB
, B01J 20/06
, B01J 23/89
FI (6件):
B01D 53/34 135 A
, B01J 20/06 A
, B01J 23/89 A
, B01D 53/34 ZAB
, B01D 53/34 120 A
, B01D 53/36 ZAB Z
引用特許:
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