特許

J-GLOBAL ID：200903033905760433

光半導体装置

発明者： 西森 修次 ,  嶋田 克実 ,  原田 忠昭
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325186
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136300
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高温および長時間放置の条件下においても光透過性に優れている光半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止する。(A)エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)硬化促進剤。(D)下記の一般式(1)で表される有機化合物および下記の一般式(2)で表される有機リン化合物の少なくとも一方。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)硬化促進剤。(D)下記の一般式(1)で表される有機化合物および下記の一般式(2)で表される有機リン化合物の少なくとも一方。【化1】【化2】

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 5/13 NKZ ,  C08K 5/524 NLB ,  C08L 63/00

FI (2件)：

H01L 23/30 F ,  H01L 23/30 R