特許
J-GLOBAL ID:200903033912542557
低EMI回路
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-097789
公開番号(公開出願番号):特開2001-282403
出願日: 2000年03月30日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の内部回路から生じるノイズを抑える低EMI回路を実現する。【解決手段】 半導体装置たるマイコン100を構成する内部回路103及び入出力バッファ101,102と、これらに電源を供給すると共に内部回路103及び入出力バッファ101,102から分離形成して専用端子106c〜106fから外部と接続可能な電源ライン104及びグランドライン105と、専用端子106c〜106f間におけるノイズの伝達を抑えるため専用端子106c〜106fに接続されるノイズ伝達阻止手段たるインダクタンス113,114、バイパスコンデンサ146,147と、を有する。
請求項(抜粋):
半導体装置を構成する内部回路及び入出力バッファと、これらに電源を供給すると共に前記内部回路及び前記入出力バッファから分離形成して専用端子から外部と接続可能な電源ライン及びグランドラインと、前記専用端子間におけるノイズの伝達を抑えるため前記専用端子に接続されるノイズ伝達阻止手段と、を有することを特徴とする低EMI回路。
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