特許

J-GLOBAL ID：200903033913422148

半導体発光素子

発明者： 軸谷 直人 ,  佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336606
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004068
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 ヘテロ接合でのバンド障壁差ΔEc,ΔEvをレーザ発振に必要なほど大きくすることができ、特性温度が高く(高温(例えば室温程度の温度)でも安定に動作し)、かつ高い発光効率をもつ短波長の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板11上にV族元素としてN(窒素)とP(燐)を含んだIII-V族混晶半導体層を活性層15として用いる半導体発光素子であって、前記活性層15はGa<SB>x2</SB>In<SB>1-x2</SB>N<SB>z2</SB>P<SB>1-z2</SB>(0≦x2≦1,0<z2<1)である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にV族元素としてN(窒素)とP(燐)を含んだIII-V族混晶半導体層を活性層として用いる半導体発光素子であって、前記活性層はGa<SB>x2</SB>In<SB>1-x2</SB>N<SB>z2</SB>P<SB>1-z2</SB>(0≦x2≦1,0<z2<1)であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 C