特許
J-GLOBAL ID：200903033913529333
ヘテロ接合半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237045
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084121
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 共鳴トンネリング素子において、ピーク電流対バレー電流の比の向上と高速変調特性の改善とを図る。【解決手段】 アンドープInxAlyGa1-x-yP障壁層(0.5≦x≦1、0≦y≦0.5、x+y≦1)4a、4bでInuGa1-uAs(0.5≦u≦1)井戸層5を挟んだ二重障壁構造を備える。
請求項（抜粋）：
InP基板上に、または、該InP基板上に積層形成された半導体デバイス主構造部上に、アンドープInxAlyGa1-x-yP障壁層(但し、0.5≦x≦1、0≦y≦0.5、x+y≦1)と、InuGa1-uAs(但し、0.5≦u≦1)層とが積層形成されたヘテロ接合を備えたヘテロ接合半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/88 S
, H01L 29/68
