特許
J-GLOBAL ID：200903033915760040
半導体素子モジュール基板の積層構造
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
宮崎 新八郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-267339
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078086
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】半導体素子モジュール基板の層間整合性、接合強度、放熱特性等の改良。【解決手段】セラミックス板(11)の素子搭載面となる側にアルミニウム層(12a),銅層(13a)を積層し、背面側にアルミニウム層(12b)(これに銅層13bが積層される場合もある)を形成された回路基板(10)と、複合層(セラミックスと高熱伝導性金属Al,Cu,Mg等との混合体)(21)、該複合層の金属と同一種の高熱伝導性金属からなるフィン(22)(複合層21のおもて面に同一種の金属層23が設けられる場合もある)を有するヒートシンク(20)とからなる。回路基板のセラミックス板(11)とアルミニウム層(12a)(12b)とは直接接合され、界面にろう材等は介在しない。ヒートシンク(20)の複合層(21)とフィン(22)と金属層(23)とは境界面を有しない一体成形品である。回路基板のアルミニウム層と銅層との間にNi等からなる隔壁層(14a)(14b)を設ける場合も有る。
請求項（抜粋）：
セラミックス板(11)の半導体素子搭載面となる側(おもて面)にアルミニウム又はアルミニウム合金層(12a)および銅又は銅合金層(13a)がこの順に積層形成されている回路基板(10)と、セラミックスと高熱伝導性金属との混合体である熱膨張率4×10-6〜9×10-6/Kの金属セラミックス複合層(21)、該複合層(21)の金属と同一種の高熱伝導性金属からなるフィン(22)および複合層のおもて面を被覆する金属層(23)とが一体成形されているヒートシンク部材(20)とからなる半導体素子モジュール基板の積層構造。
IPC (4件)：
H01L 23/373
, H01L 23/12
, H01L 23/14
, H01L 23/15
H01L 23/36 M
, H01L 23/12 J
, H01L 23/14 M
, H01L 23/14 C
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB05
, 5F036BD03
, 5F036BD13
, 5F036BD14
