半導体装置の検査方法およびプログラム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291386
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100832
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】インライン検査において電気的な不具合箇所を検出することが可能な半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】半導体基板4の裏面あるいは外周部に可変直流電源2の正極を接続し、可変直流電源2の負極は導電性のカンチレバー3に接続し、カンチレバー3と半導体基板4間に所定の順バイアス電圧(例えば1.0V)を与えながら、検査対象となるコンタクトプラグ9上にカンチレバー3を接触させた状態でスキャンする。このときにカンチレバー3を通じて流れる電流を電流計1モニターすることで、各コンタクトプラグの電流特性を知得でき、単なる形状観察では検出できない導通不良を検出する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面表面内に配設された半導体領域と、前記半導体基板の前記主面上に配設された層間絶縁膜を貫通して前記半導体領域に接触する複数のコンタクトプラグとを有する半導体装置の検査方法であって、前記複数のコンタクトプラグの一端が前記層間絶縁膜の表面に露出した状態の製造工程中の前記半導体装置を、コンダクティング原子間力顕微鏡の検査ステージに載置した後、(a)前記コンダクティング原子間力顕微鏡のカンチレバーと前記半導体基板との間にバイアス電圧を印加し、前記カンチレバーを前記複数のコンタクトプラグのうち選択した1のコンタクトプラグに接触させた状態でスキャンして、前記カンチレバーに流れる電流を検出するステップと、(b)前記複数のコンタクトプラグに対して前記ステップ(a)を実施した後、検出した電流値を所定のしきい値と比較し、前記半導体装置の電気的特性を判定するステップと、を備える半導体装置の検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01R 31/28

FI (2件)：

H01L 21/66 S , G01R 31/28 K

Fターム (19件)：

2G132AA00 , 2G132AC03 , 2G132AD01 , 2G132AF02 , 2G132AG00 , 2G132AL00 , 4M106AD30 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA01 , 4M106CA15 , 4M106CB07 , 4M106DB04 , 4M106DH04 , 4M106DH50 , 4M106DJ04 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21

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