特許
J-GLOBAL ID：200903033919619482
薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255696
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113169
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 きわめて高いアスペクト比の微細コンタクトホールの底部に配線膜の穴埋めを行うことができるようにする。【構成】 蒸発源21を蒸着粒子14が成膜用基板9へ指向性をもって噴出される構成とした。蒸着粒子14が成膜用基板9の成膜面と略直交する方向に沿って飛行して成膜用基板9に到達する。したがって、きわめて高いアスペクト比の微細コンタクトホールであっても、その底部に配線膜の穴埋めを行うことができる。
請求項（抜粋）：
蒸発源から放出された成膜用粒子をコリメータに通し、成膜用基板の成膜面に対して略直交する方向にのみ流す薄膜形成装置において、前記蒸発源を成膜用粒子が成膜用基板へ指向性をもって噴出される構成としたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
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