特許

J-GLOBAL ID：200903033920608044

II-VI族化合物半導体単結晶ウェハの製造方法およびII-VI族化合物半導体単結晶ウェハ

発明者： 小田 修
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083813
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284512
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 エッチング等の処理を行わずにサーマルクリーニングを行い、それに続けてエピタキシャル成長等を行うことができるようにされたII-VI族化合物半導体単結晶ウェハを製造する。【解決手段】 鏡面研磨されたII-VI族化合物半導体単結晶ウェハを、空気にできる限り曝すことなく、Seを含んだ溶液中に浸漬し、その状態でその溶液中にSO2 ガスを吹き込んで、II-VI族化合物半導体単結晶ウェハの鏡面上にSeを析出させる。Se層の析出後、溶液中からウェハを引き上げ、それをアセトンやメタノール等の有機溶媒で脱脂洗浄した後、超純水中で水洗し、乾燥させる。続いて、酸化力のある液体に浸漬する方法、熱酸化法、プラズマ酸化法、オゾン酸化法もしくは陽極酸化法、または自然酸化等により、ウェハ表面に形成されたSe層を酸化する。

請求項（抜粋）：

II-VI族化合物半導体単結晶ウェハの表面を鏡面状にした後、鏡面状の該ウェハ表面上に所望の膜をエピタキシャル成長させる前に、Seを含む水溶液中にII-VI族化合物半導体単結晶ウェハを浸漬し、その浸漬した状態で前記水溶液中にSO2 ガスを吹き込んで該ウェハの表面にSeを析出させた後、該ウェハ表面上に析出したSe層を酸化して少なくともそのSe層の表面にSeの酸化物層を形成することを特徴とするII-VI族化合物半導体単結晶ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/473 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365

FI (3件)：

H01L 21/473 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365