特許
J-GLOBAL ID：200903033921787465
高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090203
公開番号（公開出願番号）：特開平8-337616
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される1種又は2種以上の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が3,000〜300,000であることを特徴とする高分子化合物。【化1】(但し、式中R1は水素原子又はメチル基、R2は水素原子又は酸不安定基で、少なくとも1つは水素原子、少なくとも1つは酸不安定基である。nは2又は3である。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂として使用した化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。従って、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、これらの特性より、特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できるもので、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される1種又は2種以上の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が3,000〜300,000であることを特徴とする高分子化合物。【化1】(但し、式中R1は水素原子又はメチル基、R2は水素原子又は酸不安定基で、少なくとも1つは水素原子、少なくとも1つは酸不安定基である。nは2又は3である。)
IPC (5件)：
C08F 12/22 MJY
, C08F220/06 MLQ
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
C08F 12/22 MJY
, C08F220/06 MLQ
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/30 502 R
