特許

J-GLOBAL ID：200903033922380903

半導体装置およびその製造方法

発明者： 須藤 元 ,  梶原 信之 ,  有永 健児 ,  藤原 康治 ,  中村 裕子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125108
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置に関し、検知すべき赤外線の透過を妨げず、かつ機械的振動に対して耐振動性が大きく、効果的に画素分離が可能な赤外線検知装置、およびその製造方法の提供を目的とする。【構成】 Si基板4の素子形成領域に溝部12を設け、該溝部12内に化合物半導体層を埋設し、該埋設した化合物半導体層を素子形成用のHg1-x Cdx Te結晶2に変換して該Hg1-x Cdx Te結晶2に光検知素子8を設け、前記埋設したHg1-x Cdx Te結晶2に対向して前記Si基板4の裏面より前記Hg1-x Cdx Te結晶2に到達する凹部22を設けるとともに、該凹部22を設けたSi基板4の裏面側に反射防止膜13を設け、前記形成した溝部12以外のSi基板4を画素分離領域として構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(4) の素子形成領域に溝部(12)を設けて該溝部(12)内に化合物半導体層(18)を埋設し、該埋設した化合物半導体層(18)を素子形成用の化合物半導体結晶(2) に変換して該化合物半導体結晶(2) に光検知素子(8)を設け、前記埋設した化合物半導体結晶(2) に対向して前記半導体基板(4) の裏面より前記化合物半導体結晶(2) に到達する凹部(22)を設けるとともに、該凹部(22)を設けた半導体基板(4) の裏面側に反射防止膜(13)を設け、前記形成した溝部(12)以外の半導体基板(4) を画素分離領域としたことを特徴とする半導体装置。