半導体製造用サセプタおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299368
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153820
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【構成】窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体2の表面を平面研磨した後に導電回路5を形成し、その後、導電性回路5の上部に気相法などにより窒化アルミニウム薄膜3を0.001〜1.0mmの厚みで形成して半導体製造用サセプタを得る。【効果】優れた耐プラズマ性を有し、半導体製造時に不純物の混入を抑制するとともに、シリコンウエハに対してサセプタ面で均一な吸着力を得ることができ、サセプタ内部に発熱回路を形成した場合もサセプタ内での温度のむらを少なくすることができるため、シリコンウエハを均一に保温することができる。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体表面に導電性回路を形成し、さらにその上部に窒化アルミニウム薄膜を0. 001〜1. 0mmの厚みで形成したことを特徴とする半導体製造用サセプタ。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

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